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異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器的分布

時(shí)間:2013-10-23來源:未知 作者:輝澎 點(diǎn)擊:
內(nèi)容提要: 異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器的分布
  

  

  異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點(diǎn)是減小了注入電流,增加了發(fā)光強(qiáng)度。

  為了說明半導(dǎo)體激光器如何產(chǎn)生激光,必須先介紹半導(dǎo)體的能帶分布。
 

  ①本征半導(dǎo)體的能帶分布。本征半導(dǎo)體就是指沒有任何外來雜質(zhì)的理想半導(dǎo)體。由于半導(dǎo)體本身是同體,原子排列非常緊密,使得電子軌道相互重疊,從而使半導(dǎo)體的分立能級形成。

  電子充填能帶時(shí),總是從能量最低的能帶向上填充。因此,滿帶被電子占滿,其中的電子不起導(dǎo)電作用;價(jià)帶可能被電子占滿,也可能被占據(jù)一部分;導(dǎo)帶中的電子具有導(dǎo)電作用,導(dǎo)帶底部與價(jià)帶頂部之間為禁帶,用寬度E。表示,禁帶是電子不能占據(jù)的能帶;EF為費(fèi)米能級。

  ②P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的形成。如果向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入不同雜質(zhì)元素,則相當(dāng)于給半導(dǎo)體材料提供導(dǎo)電的電子或空穴。通常將向本征半導(dǎo)體材料摻人提供電子的雜質(zhì)元素后而形成的半導(dǎo)體材料稱為N型半導(dǎo)體,它屬于電子導(dǎo)電型;若摻人的是提供空穴的雜質(zhì)元素,那么這種半導(dǎo)體材料為P型半導(dǎo)體,它是屬于空穴導(dǎo)電型的。

  ③在重?fù)诫s情況下,N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的能帶分布。如果N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體都是重?fù)诫s的,則表示前者提供的電子多,后者提供的空穴多。在這種情況下,能在費(fèi)米能級中產(chǎn)生較低,在價(jià)帶中。


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